Samsung żvelat il-pjanijiet tagħha fin-negozju tas-semikondutturi f'konferenza fl-Istati Uniti. Huwa wera pjan direzzjonali li juri tranżizzjoni gradwali għal 7nm LPP (Low Power Plus), 5nm LPE (Low Power Early), 4nm LPE/LPP u 3nm Gate-All-Around Early/Plus teknoloġija.
Il-ġgant tal-Korea t'Isfel se jibda l-produzzjoni tat-teknoloġija 7nm LPP, li se juża litografija EUV, fit-tieni nofs tas-sena d-dieħla, filwaqt li fl-istess ħin rivali TSMC irid jibda l-produzzjoni bi proċess imtejjeb ta '7nm + u jibda produzzjoni riskjuża bi proċess ta' 5nm .
Samsung se tibda timmanifattura chipsets bil-proċess 5nm LPE fl-aħħar tal-2019 u l-proċess 4nm LPE/LPP matul l-2020. Hija t-teknoloġija 4nm li se ssir l-aħħar teknoloġija li se tuża transistors FinFET. Kemm il-proċessi 5nm kif ukoll 4nm huma mistennija li jnaqqsu d-daqs taċ-chipset, iżda fl-istess ħin iżidu l-prestazzjoni u jnaqqsu l-konsum.
Tibda bit-teknoloġija 3nm, il-kumpanija se taqleb għall-arkitettura MBCFET (Multi Bridge Channel FET) GAA (Gate All Around) tagħha stess. Jekk kollox imur skond il-pjan, chipsets għandhom jiġu prodotti fl-3 bl-użu tal-proċess 2022nm.
